درسنامه آموزشی فیزیک (2) پایه یازدهم رشته علوم ریاضی
4-4 القاگرها
در فصل 2 دیدیم که در فضای بین صفحههای یک خازن باردار، میدان الکتریکی ایجاد میشود و انرژی الکتریکی در این میدان ذخیره میشود. به همین ترتیب، میتوان از القاگر (سیم پیچ) برای تولید میدان مغناطیسی دلخواه و همچنین ذخیرهٔ انرژی در این میدان استفاده کرد. القاگر مانند مقاومت و خازن یکی از اجزای ضروری مدارهای الکترونیکی است.
شکل 4-6 تصویر چند القاگر را در اندازهها و شکلهای متفاوت نشان میدهد. نماد مداری القاگر،
است.
خود القاوری: مداری را مطابق شکل 4-7 درنظر بگیرید. این مدار شامل منبع نیروی محرکه، رئوستا، آمپرسنج و القاگری است که به طور متوالی به یکدیگر بسته شدهاند. با تغییر مقاومت رئوستا، جریان در مدار تغییر میکند. تغییر جریان در مدار، سبب تغییر میدان مغناطیسی القاگر میشود و در نتیجه شار مغناطیسی عبوری از آن نیز تغییر میکند. این فرایند سبب القای نیروی محرکهای در القاگر میشود که بنابر قانون لنز با تغییر جریان عبوری از آن مخالفت میکند. این پدیده که میتواند در هر القاگری (از قبیل پیچه یا سیملوله) رخ دهد اثر خود - القاوری نامیده میشود.
آزمایش 4-2 (صفحهٔ 119 کتاب درسی)
هدف: بررسی اثر خود القاوری
وسیلههای مورد نیاز: لامپ نئون (لامپ فازمتری)، القاگر (1000 دور یا بالاتر)، باتری قلمی (2 عدد) یا باتری 9 ولتی، سیم رابط، کلید

شرح آزمایش:
مداری مطابق شکل الف ببندید.
کلید را وصل کنید. آیا لامپ روشن است؟ اینک کلید را قطع کنید.
در لحظهٔ قطع کردن کلید چه چیزی مشاهده میکنید؟ دلیل آنچه را مشاهده میکنید در گروه خود به گفتوگو بگذارید و نتیجه را به کلاس ارائه دهید.
توجه: میتوانید مطابق شکل ب، به جای القاگر از القاگر لامپهای مهتابی (که به اشتباه ترانس نامیده میشود) نیز استفاده کنید.
ضریب القاوری: ویژگیهای فیزیکی هر القاگر، توسط ضریب القاوری آن تعیین میشود. ضریب القاوری که با نماد $L$ نمایش داده میشود به عواملی همچون تعداد دور، طول و سطح مقطع القاگر و جنس هستهای که داخل آن قرار میگیرد بستگی دارد. برای مثال، ضریب القاوری سیملولهای آرمانی و بدون هسته، که دارای طول $l$ ، سطح مقطع $A$ و $N$ حلقهٔ نزدیک به هم است (شکل 4-8)، از رابطهٔ زیر به دست میآید:
(4-4) $L={{\mu }_{{}^\circ }}\frac{A{{N}^{2}}}{l}$
یکای $SI$ ضریب القاوی، اهم . ثانیه $(\Omega .s)$ است که به احترام جوزف هانری، هانری نامیده و با نماد $H$ نشان داده میشود.
تمرین 4-3 (صفحهٔ 120 کتاب درسی)
1- تعداد حلقههای سیملولهای بدون هسته، به طول $2/8cm$ و سطح $10c{{m}^{2}}$ چه تعداد باشد تا ضریب القاوری آن $1H$ شود؟
$L=1H$ ، $A=10c{{m}^{2}}$ ، $l=2/8m$ ، $N=?$
$L={{\mu }_{{}^\circ }}\frac{A{{N}^{2}}}{l}$
$1H=(4\pi \times {{10}^{-7}}T.m/A)=\frac{(10\times {{10}^{-4}}{{m}^{2}}){{N}^{2}}}{2/8\times {{10}^{-2}}m}\Rightarrow {{N}^{2}}=\frac{2/8}{4\pi \times {{10}^{-9}}}\simeq 2/2\times {{10}^{8}}$
در این صورت $N\simeq 15000$ دور خواهد شد که تعداد دور بالایی است.
2- دو سیملولهٔ بدون هسته با سطح مقطع و تعداد دور یکسان را در نظر بگیرید. اگر طول یکی از سیملولهها دو برابر دیگری باشد، ضریب القاوریاش چند برابر دیگری است؟
${{L}_{1}}/{{L}_{2}}=?$ و ${{l}_{1}}=2{{l}_{2}}$ و ${{N}_{1}}={{N}_{2}}$
با توجه به رابطهٔ ضریب القاوری سیملوله به سادگی خواهیم داشت ${{L}_{1}}=\frac{1}{2}{{L}_{2}}$.
القای متقابل: شکل 4-9 اسباب آزمایش سادهای را برای بررسی اثر القای متقابل نشان میدهد. جریان عبوری از پیچهٔ 1، میدان مغناطیسی $\overrightarrow{B}$ را به وجود میآورد. این میدان $\overrightarrow{B}$، شار مغناطیسیای را از پیچهٔ 2 میگذراند که در مجاورت آن قرار دارد. با تغییر دادن مقاومت رئوستا و تغییر جریان در پیچهٔ 1، میدان مغناطیسی پیچهٔ 1 و در نتیجه شار عبوری از پیچهٔ 2 نیز تغییر میکند؛ بنابر قانون فاراده، این تغییر شار، نیروی محرکهای را در پیچهٔ 2 القا میکند که به ایجاد جریان القایی در این پیچه میانجامد. همچنین تغییر جریان در پیچهٔ 2، سبب ایجاد نیروی محرکهٔ القایی در پیچهٔ 1 میشود. این فرایند، القای متقابل نامیده میشود و به کمک آن میتوان انرژی را از یک پیچه، به پیچهٔ دیگر منتقل کرد.
در برخی از مدارهایی که از چندین القاگر به وجود آمده است، تغییرات جریان در یک القاگر میتواند نیروهای محرکهٔ ناخواستهای را در القاگرهای مجاور القا کند. به همین دلیل، در برخی از مدارهای الکتریکی، القای متقابل میتواند مزاحم باشد. برای هرچه کمتر کردن این اثر ناخواسته، باید سطح حلقههای القاگرهای مجاور را به طور عمود بر یکدیگر قرار داد (شکل 4-10). در این صورت، اثر القای متقابل تا حد امکان کوچک میشود. القای متقابل کاربردهای مفید بسیاری نیز دارد. مثلاً در مبدّلها که در پایان همین فصل با آنها آشنا خواهید شد، القای متقابل، نقش مهمی در مقدار ولتاژ خروجی مبدل ایفا میکند.
انرژی ذخیره شده در القاگر: وقتی توسط باتری جریانی در القاگر برقرار شود، مولد به القاگر انرژی میدهد. بخشی از این انرژی در مقاومت الکتریکی سیمهای القاگر به صورت گرما تلف و بقیهٔ آن در میدان مغناطیسی القاگر ذخیره میشود. مقدار انرژی ذخیره شده در میدان القاگر با ضریب القاوری $L$، از رابطهٔ زیر به دست میآید:
(5-4) $U=\frac{1}{2}L{{I}^{2}}$
لازم است رفتار مقاومت و القاگر را به لحاظ انرژی اشتباه نگیرید (شکل 4-11). هنگام عبور جریان از مقاومت، انرژی وارد آن میشود، جریان چه پایا باشد و چه تغییر کند، این انرژی در مقاومت به انرژی گرمایی تبدیل میشود؛ در حالی که در یک القاگر آرمانی (با مقاومت صفر) تنها وقتی انرژی وارد القاگر میشود که جریان در آن افزایش یابد. این انرژی تلف نمیشود؛ بلکه در میدان مغناطیسی القاگر ذخیره شده و هنگام کاهش جریان، آزاد میشود. هنگام عبور جریان پایا از یک القاگر آرمانی (سیم پیچ بدون مقاومت)، انرژی به آن وارد یا از آن خارج نمیشود.
تمرین 4-4 (صفحهٔ 122 کتاب درسی)
سیملولهٔ آرمانی بدون هستهای به طول $22cm$ و با حلقههایی به مساحت $0/44c{{m}^{2}}$، شامل $N=2000$ حلقهٔ نزدیک به هم است و جریان $1/7A$ از آن میگذرد. ضریب القاوری و انرژی ذخیره شده در سیملوله را حساب کنید.
$I=1/7A$ دور $N=2000$ $A=0/44c{{m}^{2}}$ $l=22cm$
$L={{\mu }_{^{{}^\circ }}}\frac{A{{N}^{2}}}{l}=(4\pi \times {{10}^{-7}}T.m/A)=\frac{(0/44\times {{10}^{-4}}{{m}^{2}}){{(2000)}^{2}}}{22\times {{10}^{-2}}m}\Rightarrow L\simeq {{10}^{-3}}H=1mH$
$v=\frac{1}{2}L{{I}^{2}}=\frac{1}{2}(1\times {{10}^{-3}}H){{(1/7A)}^{2}}\Rightarrow v=1/44\times {{10}^{-3}}J=1/44mJ$
